特許

J-GLOBAL ID：201103004006079449

電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法

発明者： 大西 敏一 ,  山本 敬介 ,  坂野 嘉和 ,  武田 俊彦 ,  丸山 朋子 ,  西村 三千代
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033856
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297192
特許番号：特許第3047331号
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電極間に、電子放出部を有する導電性膜を備える電子放出素子の製造方法において、電極間に配置された導電性膜に間隙部を形成する工程と、極性又は極性基を有する芳香族化合物を有し、該芳香族化合物の分圧に対する水の分圧の比が100以下である雰囲気下で、該電極間に電圧を印加する工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01J 9/02

FI (1件)：

H01J 9/02 E