特許
J-GLOBAL ID:201103004079543933
銅ナノ構造体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
川口 嘉之
, 松倉 秀実
, 佐貫 伸一
, 丹羽 武司
, 丹羽 武司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-062120
公開番号(公開出願番号):特開2011-195865
出願日: 2010年03月18日
公開日(公表日): 2011年10月06日
要約:
【課題】ナノサイズの銅材料を製造するための、簡便な方法を提供することを課題とする。【解決手段】銅アンミン錯体水溶液から銅ナノ構造体を製造する方法であって、前記銅アンミン錯体水溶液を、飽和カロメル参照電極に対し電解電位-1.2V〜-3.0Vで電気分解することで陰極上に銅ナノ構造体を析出させることで、銅ナノ構造体を製造する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
銅アンミン錯体水溶液から銅ナノ構造体を製造する方法であって、前記銅アンミン錯体水溶液を、飽和カロメル参照電極に対し電解電位-1.2V〜-3.0Vで電気分解することで陰極上に銅ナノ構造体を析出させることを特徴とする、銅ナノ構造体の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
4K058AA30
, 4K058BA21
, 4K058BA39
, 4K058BB04
, 4K058CA02
, 4K058CA08
, 4K058CA11
, 4K058CA16
, 4K058EB12
, 4K058ED04
, 5E078AA15
, 5E078AB02
, 5E078AB03
, 5E078BA59
引用特許:
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