特許

J-GLOBAL ID：201103004089409151

耐久性向上のための延長LDDソース-ドレイン領域を含むMOSトランジスタ

発明者： マーティン オルター
出願人/特許権者： マイクレル・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-229688
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086939
出願日： 2010年10月12日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

【課題】MOSトランジスタの耐久性を向上させる。【解決手段】MOSトランジスタ300は、第1の誘電体層312によって半導体層から絶縁された導電性ゲート314と、導電性ゲート314の第1及び第2の端部にそれぞれ自己整合されて形成された第1及び第2のLDD拡散領域318,319と、第1の拡散領域320と、第2の拡散領域322と、第1の拡散領域上に形成された第1のコンタクト開口及び金属部と、第2の拡散領域上に形成された第2のコンタクト開口及び金属部とを含む。第1のLDD拡散領域318は第1のスペーサの下にある。第2のLDD拡散領域319は、第2のスペーサの下にあり且つ第2の拡散領域まで第1の距離にわたって延在する。導電性ゲート314の第1の端部と第1のコンタクト開口との距離は、導電性ゲート314の第2の端部と第2のコンタクト開口との距離と同じである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層上に形成された金属-酸化物-シリコン(MOS)トランジスタであって: 第1の誘電体層によって前記半導体層から絶縁された導電性ゲート; 前記導電性ゲートの第1の端部に自己整合されて形成された、第2導電型の第1のライトリー・ドープト拡散領域; 前記導電性ゲートの前記第1の端部とは反対側の第2の端部に自己整合されて形成された、前記第2導電型の第2のライトリー・ドープト拡散領域; 前記第1のライトリー・ドープト拡散領域に重ねて形成された前記第2導電型の第1の拡散領域であり、当該第1の拡散領域は、前記導電性ゲートの前記第1の端部の側壁に形成された第1のスペーサに自己整合され、前記第1のライトリー・ドープト拡散領域が、前記第1のスペーサの下に残存する、第1の拡散領域; 前記第2のライトリー・ドープト拡散領域に重ねて形成された前記第2導電型の第2の拡散領域であり、当該第2の拡散領域は、前記導電性ゲートの前記第2の端部の側壁に形成された第2のスペーサの端部から第1の距離だけ離して形成され、前記第2のライトリー・ドープト拡散領域が、前記第2のスペーサの下に残存し且つ当該第2の拡散領域まで前記第1の距離にわたって延在する、第2の拡散領域; 前記第1の拡散領域上に形成された第1のコンタクト開口、及び該第1のコンタクト開口内に形成された第1の金属部;及び 前記第2の拡散領域上に形成された第2のコンタクト開口、及び該第2のコンタクト開口内に形成された第2の金属部; を有し、 前記導電性ゲートの前記第1の端部と前記第1のコンタクト開口との間の距離が、前記導電性ゲートの前記第2の端部と前記第2のコンタクト開口との間の距離と同じである、 MOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301L

Fターム (20件)：

5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH08 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04