特許

J-GLOBAL ID：201103004114935262

半導体装置およびその製法

発明者： 東田 祥史 ,  高石 昌
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103275
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294779
特許番号：特許第3869581号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電形の半導体層と、該半導体層の表面に第2導電形のベース領域が複数個設けられ、該第2導電形ベース領域内に第1導電形拡散領域が形成されることにより形成される複数個のトランジスタセルと、前記第1導電形の半導体層の表面に前記ベース領域とは別に形成される第2導電形拡散領域と、該第2導電形拡散領域上に絶縁膜を介して前記セルのゲート電極と同じ材料で設けられるゲート電極パッドと、該ゲート電極パッドがリング状に除去されることにより形成される複数個の除去部と、該複数個の除去部の下の前記第2導電形拡散領域に形成される複数個の第1導電形領域と、該第1導電形領域および前記第2導電形拡散領域とにより形成される保護ダイオードと、該保護ダイオードの一端部の前記第1導電形領域に接続して設けられるゲート配線と、前記保護ダイオードの他端部の前記第1導電形領域に接続して設けられるソース配線とからなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 655 A