半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 須澤修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036134
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250868
特許番号：特許第3633492号
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成された半導体薄膜層と、前記半導体薄膜層の上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上に形成された浮遊導体層と、前記浮遊導体層の上に形成された第3の絶縁膜と、前記半導体薄膜層に接続された電極と、を有する半導体装置であって、前記半導体薄膜層は、不純物を含む第1の領域と第3の領域と、前記第1の領域と前記第3の領域とに挟まれた領域であって前記第1の領域又は前記第3の領域の不純物濃度よりも低濃度の不純物を含む第2の領域と、を有し、前記電極は、前記第1の領域と前記第3の領域とに接続され、前記浮遊導体層は、前記第2の絶縁膜を介して、少なくとも前記第2の領域の上方に形成され、かつ、前記第1の領域の上方に形成された領域のほうが、前記第3の領域の上方に形成された領域よりも面積が大きくなるように形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 27/04 M

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-240734
特開平4-025077
特開昭58-115850

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