電子グレード・シルク溶液、絶縁材料としてシルクプロテインを用いたOTFTおよびMIMキャパシタ、およびそれらの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-259647
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199254
出願日： 2010年11月22日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】有機薄膜トランジスタ(OTFT)および金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタ、を簡便で安価な方法で提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタ(OTFT)のゲート絶縁層、あるいは金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板; 基板上に配置されたゲート電極; 基板上に配置され、ゲート電極を覆うゲート絶縁層であって、ゲート絶縁層がシルクプロテインを含むもの; 有機半導体層;およびソース電極およびドレイン電極を含む、有機薄膜トランジスタであって; 有機半導体層、ソース電極およびドレイン電極がゲート絶縁層上に配置された、有機薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/312 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (8件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L27/04 C , H01L21/312 A , H01L29/28 100A , H01L29/28 280

Fターム (36件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ20 , 5F058AA10 , 5F058AB06 , 5F058AB07 , 5F058AC10 , 5F058AD09 , 5F058AF04 , 5F058AG10 , 5F058AH01 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (4件)

濃縮された水性シルクフィブロイン溶液およびそれらの使用
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-532398 出願人：タフツユニバーシティー
特公昭42-017030
テンプレート化した天然絹スメクティックゲル
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-550338 出願人：トラスティーズオブタフツカレッジ

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Characterization of polymer, DNA-based, and silk thin film resistivities and of DNA-based films prep

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