半導体デバイス中の可動イオン濃度測定法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-329791
公開番号（公開出願番号）：特開平2-224355
出願日： 1989年12月21日
公開日（公表日）： 1990年09月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体デバイスの製造方法であって、該デバイスの基体の一部である誘電体層中の可動イオン汚染を同定する工程を含み、該誘電体層が比較的厚く、かつ無秩序構造を有するものである方法において、前記基体を高められた温度に加熱する工程;ゼロボルトより実質的に大きな最大振幅の掃引電圧を前記誘電体層を介して印加する工程;および観察を行ってピーク変位電流を検出する工程を含み、かつ前記掃引電圧の最大振幅が約5ボルトより大きいことを特徴とする方法。

IPC (1件)：