特許
J-GLOBAL ID：201103004423938977
半導体装置の製造方法と製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳丸 達雄 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100112
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294540
特許番号：特許第3533105号
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 MOSトランジスタのゲート電極に接続されるメタル配線を誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてパターニングする工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記パターニング時のプラズマ生成条件として、RFバイアス周波数を1MHz以上、RFソース側周波数を1MHz以上とし、RFソース側を100μsec以上500μsec以下の周期でパルス変調し、パルスオン時間が51μsec以上450μsec以下であり、パルスオフ時間が20μsec以上50μsec以下であり、パルスオン時間がパルスオフ時間よりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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