特許
J-GLOBAL ID:201103004432884510

化学蒸着反応チャンバ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-528858
公開番号(公開出願番号):特表2011-501409
出願日: 2008年05月09日
公開日(公表日): 2011年01月06日
要約:
複数基質のための基質ホルダを収容するプロセスチャンバと、加熱した基質の表面上の部分に反応ガスを供給する反応ガス吸気口とを含む化学蒸着反応装置が提供される。反応ガスは、基質に対して平行又は斜めに導入される。供給される反応ガスの流れの方向とサセプタの角回転の接線成分との間の角度は、サセプタの位置に依存しない。熱いガスが基質の表面に平行又は斜めに流れる冷たい反応ガスと接触する際に生成される境界層の厚さを変えるために、基質に対してガスを垂直又は鋭角に供給する第二のガス吸気口が備えられる。
請求項(抜粋):
1以上の基質を被覆するための反応チャンバであって、 回転するときに接線成分を伴う角速度を有する、回転可能なサセプタと、 前記サセプタの表面に載せられ、前記反応チャンバ内で前記サセプタにより回転させられる少なくとも2つの基質と、 前記サセプタを加熱する手段と、 前記基質の表面に斜めに反応ガスを、前記角速度の接線成分に対し前記サセプタの位置に依存しない角度をなす方向に流れるように供給する第一のガスインジェクタと、 前記基質の前記表面に対して鋭角に押圧ガスを供給する第二のガスインジェクタと、 前記反応ガスを前記反応チャンバから排出するチャンバガス排出口と を具備することを特徴とする反応チャンバ。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件):
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (31件):
4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BB02 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA08 ,  4K030KA23 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP14 ,  5F045DP27 ,  5F045EB03 ,  5F045EB10 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EF13 ,  5F045EF14 ,  5F045EF15 ,  5F045EF20

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