特許
J-GLOBAL ID:201103004456080633
半導体集積回路装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-056609
公開番号(公開出願番号):特開平2-235368
特許番号:特許第2688976号
出願日: 1989年03月08日
公開日(公表日): 1990年09月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】クロック信号を発生するための発振手段と、前記発振手段からのクロック信号の振幅を振幅設定信号に応答して調整するための振幅調整手段と、前記振幅調整手段により調整された0より大きな振幅を有するクロック信号に従ってキャパシタにチャージポンプ動作を行なわせて基板バイアス電圧を発生し、回路素子が形成された半導体基板へ該発生したバイアス電圧を印加するチャージポンプ手段とを備える、半導体集積回路装置。
IPC (4件):
H01L 27/04
, G01R 31/28
, H01L 21/66
, H01L 21/822
FI (4件):
H01L 27/04 T
, H01L 21/66 F
, H01L 27/04 G
, G01R 31/28 V
引用特許:
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