半導体素子のレジスト下層膜用組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福沢俊明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103688
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292931
特許番号：特許第4244435号
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/または部分縮合物 Si(OR1)4 (1) (R1 は、1価の有機基を示す。)および(B)下記一般式(2)で表される化合物の加水分解物および/または部分縮合物 R2 n Si(OR3)4ーn (2) (R2 およびR3 は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基を示し、nは1〜3の整数を示す。)を有機溶剤に溶解または分散してなることを特徴とする半導体素子のレジスト下層膜用組成物。

IPC (2件)：