特許

J-GLOBAL ID：201103004699440956

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (2件)： 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266846
公開番号（公開出願番号）：特開2002-155112
特許番号：特許第3844052号
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1a)、(1b)、(1c)で示される繰り返し単位の少なくとも一つを含有する高分子化合物。 (式中、Rは水素原子、酸不安定基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、アシル基又はフッ素化されたアルキル部を持つアシル基から選ばれる基を表す。R1、R2は水素原子又はフッ素原子であり、R3、R4はそれぞれ酸不安定基、密着性基を示す。R5は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基を表す。)

IPC (3件)：

C08F 20/26 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C08F 20/26 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R