特許
J-GLOBAL ID：201103004770551713
デバイス・シミュレーション方法およびデバイス・シミュレーション装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397233
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197494
特許番号：特許第3926150号
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属と半導体との界面をもつ半導体装置を対象とするデバイス・シミュレーション方法において、
前記界面の近傍におけるシミュレーション用離散化格子点上で金属と半導体との間のトンネル確率を計算した結果に基づいて、以下の(1)式および(2)式の電流連続式と(4)式のポアソン方程式とを連立させて計算された第1のコンタクト抵抗と、近似的なコンタクト抵抗を表す以下の(5)式に基づいて計算された第2のコンタクト抵抗と、を比較するステップと、
前記第1および第2のコンタクト抵抗の抵抗値の差異が所定値未満の半導体領域については前記第2のコンタクト抵抗を考慮に入れてシミュレーションを実行し、前記第1および第2のコンタクト抵抗の抵抗値の差異が前記所定値以上の半導体領域については前記第1のコンタクト抵抗を考慮に入れてシミュレーションを実行するステップと、を備えることを特徴とするデバイス・シミュレーション方法。
ここで、nは電子濃度、νeは電子速度、pは正孔濃度、νhは電子速度、GRは衝突イオン化、SRH、Augerなどの従来の生成消滅項である。電子の生成消滅率GRTLeは、次式で計算される。
ここで、TTL(ξ)は金属/半導体界面のトンネル確率、fS(ξ)は半導体中の電子のエネルギー分布関数、fM(ξ)は電極中の電子のエネルギー分布関数、ξはエネルギー、Sはコントロールヴォリュームの断面積、Vはコントロールヴォリュームの体積、A*はリチャードソン係数、kBはボルツマン定数である。
∇ε∇ψ=-q(p-n+ND-NA) (4)
ここで、eは誘電率、qは単位素電荷、NDはドナー濃度、NAはアクセプタ濃度である。
(5)式中のE00は(6)式で表される。
ここで、kBはボルツマン定数、qは単位素電荷、Tは温度、A*はリチャードソン係数、φBはバリア高さ、ηはプランク定数、Nimpは不純物濃度、m*は有効質量、εは誘電率である。
IPC (7件)：
H01L 21/00 ( 200 6.01)
, G06F 17/50 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/00 ( 200 6.01)
H01L 21/00
, G06F 17/50 666 S
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/28 Z
, H01L 29/78 301 Z
, H01L 29/00
