特許
J-GLOBAL ID：201103004919530773
単結晶薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052376
特許番号：特許第3007971号
出願日： 1999年03月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶基板上に非晶質薄膜を形成するとともに、前記非晶質薄膜に開口部を形成して前記単結晶基板表面の一部を露出させ、減圧下において原子ビーム又は分子ビームを前記単結晶基板表面に対して40°以下の入射角度で入射させ、前記露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜を選択的にエピタキシャル成長させることを特徴とする、単結晶薄膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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