特許

J-GLOBAL ID：201103005221702250

トランジスタ素子、その製造方法、トランジスタ回路、集積回路装置

発明者： 大野 剛史
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023903
特許番号：特許第3001566号
出願日： 1999年02月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 入力端子に接続されているゲート電極と、出力端子に接続されているドレイン電極と、給電端子に接続されているソース電極と、を具備しており、オン状態で所定のオン抵抗を発生するMOS(Metal Oxide Semiconductor)構造のトランジスタ素子であって、前記ソース電極と前記給電端子とが抵抗電極を介して接続されており、この抵抗電極は、抵抗値が前記オン抵抗と同等であり、前記ゲート電極と同等な層幅に同一の工程で形成されているトランジスタ素子。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092 ,  H03K 17/687

FI (4件)：

H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/08 321 A ,  H03K 17/687 A