特許

J-GLOBAL ID：201103005424505051

原子層堆積プロセス

発明者： ダメロン,アレレイン
出願人/特許権者： エイチシーエフ パートナーズ リミテッド パートナーシップ
代理人 (1件)： 浜田 治雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-533167
公開番号（公開出願番号）：特表2011-503876
出願日： 2008年10月30日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

本発明は第1および第2物質からなる基板の表面を原子層堆積プロセスを用いて保護物質の薄膜で選択的に被覆する方法を与える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面が伝導性領域と非伝導性領域からなる基板の非伝導性領域を表面被覆する方法で、前記の方法が被覆物質による原子層堆積プロセスを用いて基板表面の非伝導性領域上に薄膜を選択的に形成するために十分な条件下で薄膜を形成することからなる方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (4件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/44 A ,  C23C16/40 ,  H01L21/90 K

Fターム (22件)：

4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA43 ,  4K030BB14 ,  4K030CA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F033HH11 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ03