プラズマCVD装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-315598
公開番号（公開出願番号）：特開平3-175620
特許番号：特許第2823611号
出願日： 1989年12月04日
公開日（公表日）： 1991年07月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】プラズマ磁界発生装置からの磁界とマイクロ波による高周波電界とを作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生室およびCVDガス導入系、真空排気系を備えた真空チャンバ内に被製膜基板を設置する基板ホルダを配し、前記プラズマ磁界発生装置の発生磁界の中心線上に前記被製膜基板を設置して、前記真空チャンバ内の被製膜基板の裏側であって前記中心線から偏心した位置に偏向磁界発生装置を複数基配置し、各偏向磁界発生装置のオン・オフにより順次磁界発生箇所を移動させることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：