特許
J-GLOBAL ID：201103005790356964
絶縁ゲート付ターンオフサイリスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-205681
公開番号（公開出願番号）：特開平3-070152
特許番号：特許第2809732号
出願日： 1989年08月10日
公開日（公表日）： 1991年03月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型エミッタ層に接して第2導電型ベース層を有し、第2導電型ベース層の表面部に第1導電型ベース層及び第2導電型エミッタ層が拡散形成され、前記第2導電型エミッタ層と第2導電型ベース層とに挟まれた第1導電型ベース層の表面に絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、前記第1導電型エミッタ層に第1の主電極が、第2導電型エミッタ層に第2の主電極が、第1導電型ベース層に制御電極がそれぞれ形成された絶縁ゲート付ターンオフサイリスタにおいて、前記ゲート電極をストライプ状に配置して第1の絶縁膜で覆い、ゲート電極間の複数個の第1の領域で第1の絶縁膜に第1の開口部を設け、前記制御電極を第1の開口部で前記第1導電型ベース層と接触させてゲート電極と直交して敷設し、制御電極を第2の絶縁膜で覆い、ゲート電極間の複数個の第2の領域で第1及び第2の絶縁膜に第2の開口部を設け、前記第2の主電極を第2の開口部で前記第2導電型エミッタ層と接触させて素子領域全面に亘って形成したことを特徴とする絶縁ゲート付ターンオフサイリスタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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