特許

J-GLOBAL ID：201103006035460014

ビット誤り閾値、及びメモリ装置のリマッピング

発明者： ステファン バウアーズ ,  グルキラ ビリング
出願人/特許権者： ニューモニクス ビー ヴィ
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  大倉 昭人 ,  荒木 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-148360
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040146
出願日： 2010年06月29日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】メモリ装置の寿命を、比較的少数のメモリセルにおける寿命よりも、大多数のメモリセルにおける寿命まで延ばし信頼性の向上を図る。【解決手段】メモリの特定部分から読み出した情報を表す信号に関連する、ビット誤り率および/またはビット誤り数を決定するステップと、前記ビット誤り率および/または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較するステップと、および少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定するステップとを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

メモリの特定部分から読み出した情報を表す信号に関連する、ビット誤り率および/またはビット誤り数を決定するステップと、 前記ビット誤り率および/または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較するステップと、および 少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定するステップと 有することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

G11C 13/00 ,  G11C 29/42 ,  G11C 29/04 ,  G06F 12/16

FI (4件)：

G11C13/00 A ,  G11C29/00 631D ,  G11C29/00 605X ,  G06F12/16 310Q

Fターム (16件)：

5B018GA04 ,  5B018HA14 ,  5B018KA18 ,  5B018NA01 ,  5B018NA06 ,  5B018QA16 ,  5B018RA11 ,  5L106AA09 ,  5L106BB02 ,  5L106BB12 ,  5L106CC05 ,  5L106CC09 ,  5L106CC21 ,  5L106CC37 ,  5L106CC38 ,  5L106FF05