特許
J-GLOBAL ID:201103006041594642

撮像素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 高松 猛 ,  矢澤 清純 ,  尾澤 俊之 ,  木村 伸也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-291376
公開番号(公開出願番号):特開2011-228630
出願日: 2010年12月27日
公開日(公表日): 2011年11月10日
要約:
【課題】波長600nm以上の赤色領域の吸光度を制御することができる光電変換素子、及び該光電変換素子を用いて色再現性が向上した撮像素子を提供すること。【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に配置された光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記光電変換層がp型半導体化合物と二種類以上の異なる無置換フラーレンを含む光電変換素子。該光電変換素子を含む撮像素子。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一対の電極と、前記一対の電極間に配置された光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記光電変換層がp型半導体化合物と二種類以上の異なる無置換フラーレンを含む光電変換素子。
IPC (1件):
H01L 31/10
FI (1件):
H01L31/10 A
Fターム (17件):
5F049MA03 ,  5F049MB08 ,  5F049NA10 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA15 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SE04 ,  5F049SE20 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ10 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03
引用特許:
審査官引用 (2件)

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