特許

J-GLOBAL ID：201103006126784629

層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072252
特許番号：特許第3084367号
出願日： 1999年03月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiとCを含む化合物をプラズマ重合させ、Si-C膜、又は、Si-C-H膜を被形成体上に形成し、前記Si-C膜、又は、Si-C-H膜を酸化することにより、多孔性を有するSiO2 膜を形成する層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 S