特許
J-GLOBAL ID：201103006175746074
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-169496
公開番号（公開出願番号）：特開平3-034319
特許番号：特許第2778127号
出願日： 1989年06月29日
公開日（公表日）： 1991年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板表面に絶縁膜と第1の高融点金属を順次堆積したのち、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を堆積してから、配線パターンのフォトレジスト膜をマスクにして、前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を反応性イオンエッチングしてから前記フォトレジスト膜を除去し、さらに前記第1の高融点金属膜と同一材質からなる第2の高融点金属膜を前記第1の高融点金属膜より厚く堆積し、再度反応性イオンエッチングにより前記第2の高融点金属膜の平坦部がなくなるまでエッチングし、さらに露出している前記第1の高融点金属膜および既にパターニングされている前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなる配線の側壁に残った前記第2の高融点金属膜を等方性エッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3213
, H01L 21/28
H01L 21/88 C
, H01L 21/28 E
