ニューロンMOS回路における可変閾値生成方法およびその方法を用いたニューロンMOS回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210801
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044823
特許番号：特許第3515020号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】変数nを自然数とし、変数s及び変数tを0以上の整数とし、iを0以上でかつs以下の整数として変数miを0以上かつn以下の整数とした場合、n個の入力信号端子、s個の制御信号端子及びt個の電位が固定された電位固定端子を有するニューロンMOS回路において、入力信号の状態及び制御信号の状態として「真」及び「偽」の2値を使用し、「真」の状態にある制御信号端子の数にiを対応させた場合、「真」の状態にある入力信号端子の数がmiである場合とmi+1である場合との間か、又は、「真」の状態にある入力信号端子が0より小さい領域かの何れかの場合において、上記入力信号端子、上記制御信号端子、上記電位固定端子の各々と該ニューロンMOS回路のフローティングゲートとの間の容量値及び、該ニューロンMOS回路の内部閾値を調節して該ニューロンMOS回路の論理を反転させることを特徴とする可変閾値生成方法。

IPC (2件)：

H03K 19/20 101 , H03K 19/0944

FI (2件)：

H03K 19/20 101 , H03K 19/094 A

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