特許
J-GLOBAL ID：201103006291848704
多値記憶用メモリ・セル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭64-000649
公開番号（公開出願番号）：特開平2-179996
出願日： 1989年01月05日
公開日（公表日）： 1990年07月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】それぞれに負ゲインを有し、かつ複数の入力に印加された信号のアナログ加算機能を有する増幅器を、nを3以上の整数として該n個以上用い、各増幅器の出力をそれぞれ他の増幅器の入力の一つに接続することにより、n個の正帰還ループを形成して成ること;を特徴とする多値記憶用メモリ・セル。
IPC (2件)：
G11C 11/56
, H01L 27/10 451 7210-4M
