特許

J-GLOBAL ID：201103006318941477

シリコンウェーハ研磨用研磨剤およびシリコンウェーハの研磨方法

発明者： 橋本 浩昌 ,  小林 誠 ,  荒谷 崇 ,  森田 幸治
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-274770
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119405
出願日： 2009年12月02日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】シリコンウェーハ表面のヘイズを向上させ、かつ、特にシリコンウェーハの鏡面加工工程の生産性を悪化させないシリコンウェーハ研磨用の研磨剤と、それを用いたシリコンウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】少なくとも、アルカリ性シリカと、水溶性高分子と、環状有機化合物とを含むシリコンウェーハ研磨用研磨剤であって、前記環状有機化合物は、水溶性、分子量が80以上500未満、環構造を形成している原子として少なくとも酸素原子を2ケ以上含み、かつ前記アルカリ性シリカの固形分に対して0.1重量%以上500重量%以下添加されたものであることを特徴とするシリコンウェーハ研磨用研磨剤。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、アルカリ性シリカと、水溶性高分子と、環状有機化合物とを含むシリコンウェーハ研磨用研磨剤であって、 前記環状有機化合物は、水溶性、分子量が80以上500未満、環構造を形成している原子として少なくとも酸素原子を2ケ以上含み、かつ前記アルカリ性シリカの固形分に対して0.1重量%以上500重量%以下添加されたものであることを特徴とするシリコンウェーハ研磨用研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17