特許
J-GLOBAL ID：201103006376877380
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-003015
公開番号（公開出願番号）：特開平2-183567
特許番号：特許第2697062号
出願日： 1989年01月09日
公開日（公表日）： 1990年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一導電型半導体基板の主表面に選択的にフィールド絶縁膜を設けて素子形成領域を区画する工程と、前記素子形成領域に逆導電型の低濃度不純物を選択的に導入して第1の拡散領域を設ける工程と、前記素子形成領域を含む表面に第1の絶縁膜を堆積し該第1の絶縁膜及び前記第1の拡散領域の表面を選択的に順次エッチングして前記第1の拡散領域に所定の深さを有する開口部を設ける工程と、前記開口部を含む表面に第2の絶縁膜を堆積してこれを異方性エッチングし前記開口部の側壁にのみ前記第2の絶縁膜を残す工程と、前記第1及び第2の絶縁膜をマスクとして逆導電型の高濃度不純物をイオン注入して活性化し前記第1の拡散領域に第2の拡散領域を形成する工程と、等方性エッチングにより前記第1及び第2の絶縁膜を除去し前記開口部を含む表面に厚い第3の絶縁膜を堆積して前記開口部を充填する工程と、前記第3の絶縁膜の上にレジスト膜を設けて表面を平坦化し全面を異方性エッチングしてちょうど前記素子形成領域の表面を露出させ前記開口部内に前記第3の絶縁膜を埋込む工程と、熱酸化法により前記素子形成領域の表面にゲート酸化膜を設け前記第3の絶縁膜に一部を重ねて前記ゲート酸化膜上に選択的にゲート電極を設ける工程と、前記ゲート電極に整合させて前記素子形成領域に逆導電型の不純物をイオン注入し前記第3の絶縁膜に隣接して前記第1の拡散領域の表面に第3の拡散領域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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