イオン注入装置の検査方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：森哲也 , 内藤嘉昭 , 崔秀▲てつ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021472
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223062
特許番号：特許第3695569号
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射した後、前記半導体ウエハをその円周方向に所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定することを特徴とするイオン注入装置の検査方法。

IPC (3件)：