特許

J-GLOBAL ID：201103006435006576

III族窒化物半導体の種結晶の製造方法、III族窒化物半導体単結晶の製造方法、基板の製造方法、種結晶

発明者： 石原 裕次郎 ,  錦織 豊
出願人/特許権者： 古河機械金属株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-120116
公開番号（公開出願番号）：特開2011-246304
出願日： 2010年05月26日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】拡大成長させた場合に、結晶性の良好なIII族窒化物半導体単結晶を得ることができるIII族窒化物半導体の種結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】III族窒化物半導体の種結晶の製造方法は、気相成長法により、種結晶形成用部材1上に複数のIII族窒化物半導体の核を離間させて形成し、前記複数の核を成長させて、前記複数の核から複数の種結晶2を得る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体の種結晶の製造方法であって、 気相成長法により、複数のIII族窒化物半導体の核を離間して形成し、 前記複数の核を成長させて、前記複数の核から複数の種結晶を得るIII族窒化物半導体の種結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TC05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC18 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF11 ,  5F045AF19 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA51 ,  5F045DP09 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ11 ,  5F045EK06