特許
J-GLOBAL ID:201103006463132790

イオン注入分布の近似方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-305891
公開番号(公開出願番号):特開2002-118073
特許番号:特許第4429509号
出願日: 2000年10月05日
公開日(公表日): 2002年04月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 不純物濃度分布関数N(x)を N(x)={rNa (x)+(1-r)Nc (x)}Φ(0≦r≦1) (1) Na (x)=Hma(x) (2) Nc (x)=Hmc(x) (x<xt ) (3) =κ(Hmc(x)+Htc(x)) (x≧xt ) (4) Hmc(xt )=κ(Hmc(xt )+Htc(xt )) (5) 式(1)乃至(5)に於いて、 N(x):Na (x)及びNc (x)を綜合した不純物濃度分布関数 r:ドーズレシオ Na (x):メインパートの分布関数 Nc (x):チャネリングパートの分布関数 Na (x)及びNc (x)の積分値:1 Φ:ドーズ量 x:深さ方向の座標 Hma(x):任意の分布関数(ガウシアン又はピアソンIV又はJointed half-gaussian) Hmc(x):Hma(x)と形状が相似の分布関数でHmc(x)∝Hma(x) Hmc(x)を構成する分布パラメータ:Hma(x)と同一のパラメータ xt :チャネリングテールの接続点 Htc(x):チャネリングテールの形状を表現する関数 κ:x=xt での接続条件である式(5)を満たす定数 とし、又、チャネリングテール関数Htc(x)を、 Htc(x)=Hmc(xp )exp{-(lnη)((x-xp )/L)A } (10) 式(10)に於いて、A は同じく指数で表されるαに相当 とし、且つ、式(10)に於けるパラメータLとエネルギηとの関係を、 Nc (x+L)=(κ/η)Nc (xp ) (11) 式(10)及び式(11)に於いて、 xp =Rp +a0 (Hma(x)、Hmc(x)がピアソンIVの場合) xp =Rp (Hma(x)、Hmc(x)がガウシアンの場合) xp =Rm (Hma(x)、Hmc(x)がJointed half-gauss ianの場合) lnη:パラメータηの自然対数 η:式(11)の関係を成り立たせる為に式(10)に導入したパラメータ L:チャネリングテールの長さを表すパラメータ α:チャネリングテールの形状を表すパラメータ a0 :-dRp γ(β+3)/(10β-12γ2 -18) γ:ピアソンIVに於いてイオン注入分布の左右非対称性を表すパラメータ β:ピアソンIVに於いてイオン注入分布のピークの鋭さを表すパラメータ Rp :ガウシアン分布関数、ピアソンIV分布関数に於いて、イオン注入分布の飛程を表 すパラメータ dRp :ガウシアン分布関数、ピアソンIV分布関数に於いて、Rp 近傍の標準偏差、即 ち、分布の拡がりを表すパラメータ Rm :Jointed half-gaussian分布関数に於いて、分布のピーク位 置を表すパラメータ Rm を境界として左右異なる標準偏差(dRpf、dRpb)が適用される Rm =Rp -(20.5 /π)(dRpb-dRpf)の関係が成立する dRpf:Jointed half-gaussian分布関数に於いて、Rm より外側 の分布の拡がりを表すパラメータ dRpb:Jointed half-gaussian分布関数に於いて、Rm より内側 の分布の拡がりを表すパラメータ としてイオン注入分布形状を近似すること を特徴とするイオン注入分布の近似方法。
IPC (2件):
H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/265 Z ,  H01L 21/00
引用文献:
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