特許

J-GLOBAL ID：201103006469816291

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および表示装置

発明者： 宮下 寛子 ,  谷口 理 ,  山口 典彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-150446
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009393
出願日： 2009年06月25日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】酸化物からなる半導体層における酸素含有率の変動や水分吸着に起因する特性変動を確実に防止可能な、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に設けられた酸化物からなる酸化物半導体層7と、酸化物半導体層7上に酸化物半導体層7に対して連続成膜された上層絶縁膜9とを備えている。酸化物半導体層7および上層絶縁膜9の外周縁は、酸化物半導体層7に形成されるチャネル領域7chに対して13μm以上の間隔d1〜d4を保持して配置されている。これにより、外周縁の外側からの酸素の出入りや水分吸着の影響が、チャネル領域7chに対して影響を及ぼすことを防止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた酸化物からなる半導体層と、 前記半導体層上に当該半導体層に対して連続成膜された上層絶縁膜とを備え、 前記半導体層および前記上層絶縁膜の外周縁は、当該半導体層に形成されるチャネル領域に対して13μm以上の間隔を保持して配置されている 薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627B ,  G02F1/1368

Fターム (41件)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092JB69 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB06 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG43 ,  5F110HL14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09