高融点金属膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-181414
公開番号（公開出願番号）：特開平3-047965
特許番号：特許第2844693号
出願日： 1989年07月13日
公開日（公表日）： 1991年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基体上にCVD法により高融点金属膜を形成するに際し、はじめに高融点金属を元素として含む原料ガス、シランガスを用いてCVDを行う第1工程ののちに、高融点金属を元素として含む原料ガスおよび水素を含み、シランガスを含まないガスを用いてCVDを行う第2工程を有することを特徴とする高融点金属膜の形成方法。

IPC (3件)：