特許

J-GLOBAL ID：201103006644537856

パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置

発明者： 滝沢 聡毅
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-103629
公開番号（公開出願番号）：特開2011-234544
出願日： 2010年04月28日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】従来は、電力変換回路毎に半導体モジュールが必要となっていたため、種類が増加するという問題があった。また、需要の少ない回路方式では、その回路方式に合ったモジュールをカスタマイズ化することは型費や歩留まりなどの問題でコストアップ要因となるため、必然的に既存の半導体モジュールを組み合わせて回路を構成する必要があった。【解決手段】半導体モジュールの構成を、ダイオードを逆並列接続したIGBT2個と双方向スイッチ2個、又は双方向スイッチ4個を1個のモジュールに内蔵させ、5つの外部端子を備える構成にした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電力変換装置に適用するパワー半導体デバイスを内蔵したモジュールにおいて、

IPC (4件)：

H02M 1/08 ,  H02M 7/48 ,  H02M 3/155 ,  H02M 5/293

FI (4件)：

H02M1/08 341Z ,  H02M7/48 Z ,  H02M3/155 Y ,  H02M5/293 Z

Fターム (21件)：

5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA07 ,  5H730AA16 ,  5H730BB13 ,  5H730DD03 ,  5H730DD13 ,  5H730DD14 ,  5H730ZZ13 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB02 ,  5H740BB03 ,  5H740BB04 ,  5H740BB05 ,  5H740PP02 ,  5H750CC06 ,  5H750CC20 ,  5H750JJ04