特許
J-GLOBAL ID：201103006724076906
スタンパの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-138202
公開番号（公開出願番号）：特開2010-284814
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】より微細なパターンを形成することができ、かつ安価に実施することができるナノインプリント用のスタンパの製造方法の提供。【解決手段】(a)基板の表面に金属薄膜を形成する工程と、(b)金属薄膜の表面にレジスト層を形成する工程と、(c)電子線リソグラフィー法を用いてレジスト層に凹凸パターンを形成する工程と、(d)レジスト層の凹凸パターンにならって金属薄膜をエッチングして、パターン状の金属マスクを形成する工程と、(e)金属マスクにならって、基板に凹凸パターンを形成する工程とを少なくとも有し、工程(d)において金属薄膜をサイドエッチングすることによって、工程(e)において基板中に形成される凸部の幅が、工程(c)で形成される凹凸パターンの凹部の幅よりも縮小されることを特徴とする、ナノインプリント用のスタンパの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に凹凸形状を有する、ナノインプリント用のスタンパの製造方法であって、
(a) 基板の表面に金属薄膜を形成する工程と、
(b) 前記金属薄膜の表面にレジスト層を形成する工程と、
(c) 電子線リソグラフィー法を用いて前記レジスト層中に凹凸パターンを形成する工程と、
(d) 前記レジスト層中の凹凸パターンにならって金属薄膜をエッチングして、パターン状の金属マスクを形成する工程と、
(e) 前記金属マスクにならって、前記基板に凹凸パターンを形成する工程と
を少なくとも有し、工程(d)において金属薄膜をサイドエッチングすることによって、工程(e)において基板中に形成される凸部の幅が、工程(c)で形成される凹凸パターンの凹部の幅よりも縮小されることを特徴とする、ナノインプリント用のスタンパの製造方法。
IPC (3件)：
B29C 33/38
, B29C 59/02
, H01L 21/027
B29C33/38
, B29C59/02 B
, H01L21/30 502D
4F202AF01
, 4F202AH37
, 4F202AH38
, 4F202AH79
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CB29
, 4F202CD24
, 4F209AJ02
, 4F209AJ08
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F046AA28
