単結晶ダイヤモンド層の形成法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-054477
公開番号（公開出願番号）：特開平2-233591
特許番号：特許第2730145号
出願日： 1989年03月07日
公開日（公表日）： 1990年09月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】水素ガス及び炭素含有化合物から成る原料物質を反応器に供給して反応させ、単結晶ダイヤモンド層を気相中で単結晶基板の(100)面上にエピタキシャル成長させることから成り、炭素含有化合物に含まれる炭素原子のモル数Bと水素ガスのモル数Aの比B/Aが2〜10%であり、単結晶基板の格子定数a(Å)が、式:|(a-a0)/a|x100≦20[式中、a0はダイヤモンドの格子定数(3.567Å)である。]を満たすことを特徴とする単結晶ダイヤモンド層の形成法。

IPC (1件)：