半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-125893
公開番号（公開出願番号）：特開平2-303164
特許番号：特許第2773775号
出願日： 1989年05月18日
公開日（公表日）： 1990年12月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ペレット本体表面にバンプ電極を有する半導体装置において、前記バンプ電極の下地電極として、Ti層,Ni層,Ag層の積層体よりなるオーミック電極を有し、前記Ti層,Ni層,Ag層の厚さが100〜500Å,1000〜2000Å,3000〜5000Åの範囲内である半導体装置。

IPC (1件)：