特許

J-GLOBAL ID：201103007020921631

GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137493
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320054
特許番号：特許第4676046号
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaN系半導体表面に絶縁層を介してゲート電極が形成されているGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、 前記絶縁層は、Ga2O3/SiO2、Al2O3/Ga2O3、SiO2/In2O3、およびAl2O3/In2O3のうちいずれかにおける2種類の絶縁層が交互に積層された積層体であることを特徴とするGaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/314 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/314 M ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 B