荷電粒子ビーム照射システム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-147664
公開番号（公開出願番号）：特開2011-000378
出願日： 2009年06月22日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

【課題】スポットスキャン法において、スポット数が多くなった場合でも照射時間を短縮し、かつ目標照射量のビームを精度良く各スポットに照射できるようにする。【解決手段】中央制御装置46は、事前に目標照射量に応じて、スポット毎に照射時間がほぼ一定となるように目標ビーム電流値を決定し、加速器制御部47は、その目標ビーム電流値が得られるようシンクロトロン4から出射する荷電粒子ビームの電流値を調整する。また、中央制御装置46は事前にビーム電流値に対する遅延照射量を計算し、照射装置制御部48及び加速器制御部47は目標照射量から遅延照射量を引いた設定照射量に達した時点で出射停止信号を出力してビーム出射を停止する制御を開始する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを出射する荷電粒子ビーム発生装置と、荷電粒子ビーム走査装置を有し、前記荷電粒子ビーム発生装置から出射された前記荷電粒子ビームを照射対象の照射標的に照射する照射装置と、前記荷電粒子ビーム走査装置の走査電磁石の励磁量を一定にして前記照射標的に設定された1つのスポットの照射位置に前記荷電粒子ビームを照射し、前記荷電粒子ビーム発生装置からの前記荷電粒子ビームの出射を停止した後、前記励磁量を変更して照射位置を次のスポットに変更し、前記荷電粒子ビーム発生装置から前記荷電粒子ビームを再び出射して照射するよう前記荷電粒子ビーム発生装置と前記照射装置を制御する制御装置とを備え、前記荷電粒子ビーム発生装置は、出射する荷電粒子ビームの電流値を調整する機能を有し、前記制御装置は、各スポットの目標照射量に応じて出射する荷電粒子ビームの電流値を調整するよう前記荷電粒子ビーム発生装置を制御する第1制御手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。

IPC (2件)：

A61N 5/10 , H05H 13/04

FI (4件)：

A61N5/10 H , A61N5/10 Q , H05H13/04 N , H05H13/04 M

Fターム (16件)：

2G085AA13 , 2G085BA11 , 2G085BC15 , 2G085CA16 , 2G085CA22 , 2G085CA26 , 4C082AA01 , 4C082AC05 , 4C082AE03 , 4C082AG05 , 4C082AG12 , 4C082AJ08 , 4C082AN03 , 4C082AN04 , 4C082AN05 , 4C082AP02

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