特許
J-GLOBAL ID：201103007098514021
可変減衰器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088421
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286678
特許番号：特許第3216808号
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲートが第1の抵抗を介して制御端子に接続され、ドレインが第1のキャパシタンスを介して入力端子に接続され且つ第2の抵抗を介して基準電圧源に接続され、ソースが第3の抵抗を介して前記基準電圧源に接続され且つ第2のキャパシタンスを介して出力端子に接続された第1のFETを有する可変減衰器本体と、前記基準電圧源を出力する基準電圧発生回路とを有する可変減衰器において、前記基準電圧発生回路が、ドレインが第1の電源に接続され、ゲートとドレインとが第4の抵抗を介して接続され、ソースが第5の抵抗を介して第2の電源に接続された、前記第1のFETと同じ構造の第2のFETを備え、前記第2のFETのソースから前記基準電圧源を出力することを特徴とする可変減衰器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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