特許

J-GLOBAL ID：201103007320843772

酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法

発明者： ラビ クマー ラクスマン ,  デビッド アレン ロバーツ ,  アーサー ケネス ホッチバーグ
出願人/特許権者： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077403
特許番号：特許第3055123号
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 二酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素からなる群より選ばれる酸素含有ケイ素化合物の膜を基材上に成長させるための方法であって、ビス(tert-ブチルアミノ)シランを、当該ケイ素化合物が二酸化ケイ素である場合には酸素、オゾン及びそれらの混合物からなる群より選ばれ、あるいは当該ケイ素化合物が酸窒化ケイ素である場合には酸化窒素、アンモニア及びそれらの混合物からなる群より選ばれる反応物ガスと、高温で反応させて当該酸素含有ケイ素化合物の膜を成長させる、酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 C