特許

J-GLOBAL ID：201103007538975867

ゲートターンオフ半導体素子

発明者： アンドレ ジャックリーン ,  ヴォルフガンク ツィンメルマン
出願人/特許権者： アゼア ブラウン ボヴェリ アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-019379
公開番号（公開出願番号）：特開平1-217974
特許番号：特許第2809419号
出願日： 1989年01月27日
公開日（公表日）： 1989年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(a)半導体ウェーハ(2)と、(b)前記半導体ウェーハ(2)の第1領域に、陰極側と陽極側との間に配置され、かつ、ゲートターンオフ(GTO)サイリスタを形成する、さまざまにドーピングされた第1の層列と、(c)前記第1領域に、少なくとも前記陰極側に設けられた、下層に位置するゲート領域によって囲まれた複数の突出した陰極フィンガ(7)を有する段状のゲート陰極構体と、(d)前記第1領域に設けられた、前記陰極フィンガ(7)の各々の金属の陰極層(6)、及び、前記半導体ウェーハ(2)の前記陽極側の金属陽極層(4)と、(e)前記半導体ウェーハ(2)の第2領域に、前記陰極側と前記陽極側との間に配置され、かつ、前記GTOサイリスタに並列に接続された素子を形成する、さまざまにドーピングされた第2の層列と、(f)前記第2領域に設けられた、前記陰極側及び前記陽極側の、前記半導体ウェーハ(2)に接点を構成するための金属層(10、4、又は、4′、6′)と、(g)接点を構成するために、前記第2領域に設けられた、前記陰極層(6)及び前記層(10又は4′)に押しつけられる、前記陰極側のプレスコンタクト板(1)と、を備えているゲートターンオフ半導体素子であって、(h)前記陽極側に、接点を構成するために、前記第2領域に設けられた、前記陽極層(4)及び前記層(4又は6′)に押しつけられる、プレスコンタクト板(3)を備え、(i)前記プレスコンタクト板(1、3)及び前記半導体ウェーハ(2)は、前記プレスコンタクト板(1、3)及び前記半導体ウェーハ(2)が加圧される接点領域で、±5マイクロメートルを超えない平坦度を有し、(k)前記プレコンタクト板(1、3)は、前記各プレスコンタクト板(1、3)の中心軸線偏差が、互いから、500マイクロメートルを超えないように、互いに関して整列されており、(l)前記半導体ウェーハ(2)の前記第2領域の前記半導体素子は、段状のゲート陰極構体と陰極フィンガ(7′)とを有するGTOサイリスタであり、(m)前記両方のGTOサイリスタは、逆並列に配列されている、ことを特徴とする、ゲートターンオフ半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/744 ,  H01L 29/74

FI (2件)：

H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-033871
  
• 特開昭64-042271
  
• 特開昭61-219172