特許

J-GLOBAL ID：201103007586368450

発光装置

発明者： 大友 晃治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-083534
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216668
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】表示装置や照明装置などに用いる場合に光の利用効率が高く、隣接する画素への迷光による画像の精彩度の低下も抑えることができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、基板11上に配置された複数の発光ダイオード12と、発光ダイオード12の周囲の領域において発光ダイオード12の少なくとも側面に設けられた第1の媒質層13と、発光ダイオード12の少なくとも上部に設けられた第2の媒質層14とを有する。発光ダイオード12を構成する半導体の屈折率をn1 、基板11のうちの少なくとも発光ダイオード12側の部分の屈折率をn2 、第1の媒質層13のうちの少なくとも発光ダイオード12側の部分の屈折率をn3 、第2の媒質層14のうちの少なくとも発光ダイオード12側の部分の屈折率をn4 としたとき、n1 >n2 、n1 >n3 、n1 >n4 、n3 <n2 、n3 <n4 とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に配置された複数の発光ダイオードと、 上記発光ダイオードの周囲の領域において上記発光ダイオードの少なくとも側面に設けられた第1の媒質層と、 上記発光ダイオードの少なくとも上部に設けられた第2の媒質層とを有し、 上記発光ダイオードを構成する半導体の屈折率をn1 、上記基板のうちの少なくとも上記発光ダイオード側の部分の屈折率をn2 、上記第1の媒質層のうちの少なくとも上記発光ダイオード側の部分の屈折率をn3 、上記第2の媒質層のうちの少なくとも上記発光ダイオード側の部分の屈折率をn4 としたとき、n1 >n2 、n1 >n3 、n1 >n4 、n3 <n2 、n3 <n4 である発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/48

FI (1件)：

H01L33/00 400

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA58 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08