特許

J-GLOBAL ID：201103007604723009

光電変換素子の製造方法、光電変換素子および薄膜太陽電池

発明者： 村上 直樹
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-035763
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222967
出願日： 2011年02月22日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】光電変換層の成膜時間が短い場合でも、その厚さ方向のバンドギャップ(Eg)を変化させることができ、光電変換効率が優れた光電変換層が得られる光電変換素子の製造方法、この製造方法で製造された光電変換素子および、この光電変換素子を有する薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】光電変換素子の製造方法は、CIGS系半導体化合物からなる光電変換層が基材上に形成された光電変換素子の製造方法であり、CIGS層の形成工程は、40分未満でなされるものであり、(In,Ga)およびSeの蒸気または(In,Ga)ySezの蒸気を基材に曝す工程を備える。この蒸気を基材に曝す工程では、(In,Ga)およびSeの蒸気または(In,Ga)ySezの蒸気の量を変えて、Ga/(In+Ga)比を時間的に変化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

CIGS系半導体化合物からなる光電変換層が基材上に形成された光電変換素子の製造方法であって、 前記光電変換層の形成工程は、40分未満でなされるものであり、(In,Ga)およびSeの蒸気、または(In,Ga)ySezの蒸気を前記基材に曝す工程を備え、 前記蒸気を基材に曝す工程は、Ga/(In+Ga)比を時間的に変化させることを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F151AA10 ,  5F151CB14 ,  5F151CB24 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151GA03