特許
J-GLOBAL ID：201103007677273591
不揮発性半導体メモリの電荷保持寿命評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154798
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349174
特許番号：特許第3613072号
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の表層部にソース領域およびドレイン領域が離間して形成され、両領域間における半導体基板の上にトンネル膜を介してフローティングゲート電極が配置されるとともに、フローティングゲート電極の上に絶縁膜を介してコントロールゲート電極が配置された不揮発性半導体メモリにおける電荷保持寿命評価方法であって、前記トンネル膜に少なくとも2種類の電圧を印加して印加が無いときの電荷保持特性を推定することで加速評価するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリの電荷保持寿命評価方法。
IPC (9件)：
G01R 31/28
, G01R 31/30
, G11C 17/00
, G11C 29/00
, H01L 21/66
, H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G01R 31/28 B
, G01R 31/30
, G11C 17/00 D
, G11C 29/00 652
, H01L 21/66 W
, H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
