特許
J-GLOBAL ID:201103007816493232

適応型の自己整合型ダブルパターニングのためのシーケンス内計測ベースのプロセス調整

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安齋 嘉章
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-517654
公開番号(公開出願番号):特表2011-527839
出願日: 2009年07月10日
公開日(公表日): 2011年11月04日
要約:
適応型自己整合型デュアルパターニングのための装置及びその方法である。この方法は、エッチングプロセス及び堆積プロセスを実行するために構成された処理プラットホーム及び真空内クリティカルディメンジョン(CD)測定のために構成された計測ユニットに基板を提供するステップを含む。真空内CD測定は、プロセスシーケンス処理プラットホームのフィードフォワード適応制御のために、又はチャンバプロセスパラメータのフィードバック及びフィードフォワード適応制御のために使用される。一態様では、多層マスキングスタックの第1層は、テンプレートマスクを形成するためにエッチングされ、テンプレートマスクの真空内CD測定が行われ、テンプレートマスクのCD測定に依存する幅でテンプレートマスクに隣接してスペーサが形成される。
請求項(抜粋):
第1基板を処理プラットホームへロードするステップと、 テンプレートマスクを形成するために、多層マスキングスタックの第1層をエッチングするステップと、 前記テンプレートマスクの真空内クリティカルディメンジョン(CD)測定を実行するステップと、 前記テンプレートマスクの前記CD測定に依存する幅に形成されるスペーサを、前記テンプレートマスクに隣接して形成するステップと、 前記第1基板を前記処理プラットホームからアンロードするステップとを含む自己整合型デュアルパターニングの方法。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/027
FI (3件):
H01L21/302 105A ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 573
Fターム (8件):
5F004AA04 ,  5F004EA01 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004FA08 ,  5F146LA18 ,  5F146NA18

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