特許

J-GLOBAL ID：201103007835216401

薄膜電界効果トランジスタの製法

発明者： 中沢 憲二 ,  田中 敬二
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-170799
公開番号（公開出願番号）：特開平3-035535
特許番号：特許第2889924号
出願日： 1989年06月30日
公開日（公表日）： 1991年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラスでなる透光性絶縁基板上に、n型不純物またはp型不純物を導入している半導体薄膜でなるソース領域及びドレイン領域を、並置して、所要のパターンに、形成する工程と、上記透光性絶縁基板上に、上記ソース領域及び上記ドレイン領域を覆って延長しているアモルファスシリコン膜を減圧CVD法によって形成する工程と、上記アモルファスシリコン膜に対する熱アニーリング処理によって、上記アモルファスシリコン膜から、その多結晶化されている多結晶化シリコン膜を形成する工程と、上記多結晶化シリコン膜に対するパターニング処理によって、上記多結晶化シリコン膜から、上記ソース領域及び上記ドレイン領域間に延長している活性層を形成する工程と、上記透光性絶縁基板上に、上記活性層を覆って延長しているゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上に、上方からみて、上記活性層を幅方向に横切って延長しているゲート電極を形成する工程とを有する薄膜電界効果トランジスタの製法において、上記アモルファスシリコン膜を形成する工程における減圧CVD法において、原料ガスとしてSi2H6ガスを用い且つ上記透光性絶縁基板の温度を、その透光性絶縁基板の歪点温度以下の温度である420°C〜550°Cとすることを特徴とする薄膜電界効果トランジスタの製法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 611 ,  H01L 27/12 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-003414
  
• 特開平1-268064
  
• 特開昭62-163318
  
• 特開昭63-047980