特許
J-GLOBAL ID:201103007974967543

太陽電池配列の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (10件): 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  竹内 英人 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-250095
公開番号(公開出願番号):特開2000-091616
特許番号:特許第4568393号
出願日: 1999年09月03日
公開日(公表日): 2000年03月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】太陽電池配列の製造方法において、 半導体内にp-n接合を形成するステップと、 上記p-n接合を横切る面に沿って上記半導体材料を分離し、切離し片及び主ボディを得るステップと、 上記切離し片が、上記主ボディを構成している太陽電池のための保護ダイオードを形成するように、上記切離し片を上記主ボディにまたがって並列に、且つ逆方向に接続するステップと、 上記半導体材料の前面及び後面にそれぞれ第1及び第2の導電性接点を設けるステップと、 を含んでいることを特徴とする方法。
IPC (1件):
H01L 31/042 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 31/04 R
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 特開昭57-184255
  • 特開昭57-138184
  • 特開昭60-240171
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審査官引用 (4件)
  • 特開昭57-184255
  • 特開昭57-138184
  • 特開昭60-240171
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