特許
J-GLOBAL ID：201103008088473838
パターンの形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-219456
公開番号（公開出願番号）：特開平3-082131
出願日： 1989年08月25日
公開日（公表日）： 1991年04月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に第一の絶縁膜を形成し、次いで、第一の絶縁膜上に、第一のレジストを塗布形成した後、該レジストをパターニングして、第一の絶縁膜の一部を露呈させ、前期第一のレジストの開口を通して、露呈した第一の絶縁膜をエッチングにより除去し、半導体基板の一部を露呈させた後、前記レジストを除去する工程と、形成された開口を有する第一の絶縁膜を覆うように第二の絶縁膜を形成した後、次いで、第二の絶縁膜上に第二のレジストを塗布形成したのち、前記第一の絶縁膜の開口上に該開口より広く第二のレジストが存在するようにパターニングしたのち、前記第二のレジストをマスクとして、露呈した第二の絶縁膜を除去した後、次いで、第二の絶縁膜と接触する第一の絶縁膜を除去したのち、第二のレジストを除去する工程と、樹脂層を塗布形成した後、第三のポジ型レジストを前記樹脂層上に塗布形成し、次いで、該第三のレジストを露光し、前記第二の絶縁膜上に開口を形成し、該第二の絶縁膜を露呈させた後、エッチングにより該第二の絶縁膜を除去することにより前記樹脂層内に断面T字型の開口を形成する工程とを含むことを特徴とするパターンの形成法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
