特許
J-GLOBAL ID：201103008096142905
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-066762
公開番号（公開出願番号）：特開平2-246161
出願日： 1989年03月17日
公開日（公表日）： 1990年10月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁性基板(1)上にゲート電極(G),ゲート絶縁膜(2),動作半導体層(3),ソース・ドレイン電極(6)が積層されてなる薄膜トランジスタの構成において、前記ゲート絶縁膜(2)の少なくともゲート電極と接する部分が原子層エピタキシー法で形成した絶縁膜よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
