特許

J-GLOBAL ID：201103008117043082

半導体装置の検査用素子及びその製造方法。

発明者： 西山 知宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (2件)： 机 昌彦 ,  下坂 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-070214
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204874
出願日： 2010年03月25日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】半導体装置の検査装置においては、非接触通信に適した構成を得ることが困難で、かつ高い信頼性を得ることが困難である。【解決手段】本発明の半導体装置の検査用素子は、基材と、基材上に配置され検査回路と非接触結合回路を備えた回路層を有する検査回路基板と、検査回路基板との一の主面に接続され貫通電極を備えた支持基板とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基材と、前記基材上に配置され検査回路と非接触結合回路を備えた回路層を有する検査回路基板と、 前記検査回路基板の一の主面に接続され貫通電極を備えた支持基板 とを有する半導体装置の検査用素子。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/302

FI (3件)：

H01L21/66 B ,  H01L21/66 Z ,  G01R31/28 L

Fターム (9件)：

2G132AA00 ,  2G132AF16 ,  2G132AK01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AC13 ,  4M106BA09 ,  4M106CA01 ,  4M106DH35