半導体集積回路及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329190
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148466
特許番号：特許第3374912号
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電型のウェルと、第1の導電型のウェルに隣接し、かつ、第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型のウェルとを備え、第1の導電型のウェルの表面に、第1の導電型の拡散層A1及び第2の導電型の拡散層A2の両方を、マクロセルを周回して配置すると共に、第2の導電型のウェルの表面に、第1の導電型の拡散層B1及び第2の導電型の拡散層B2の両方をマクロセルを周回して配置し、拡散層A1及びB1には電位V1が与えられ、拡散層A2及びB2には電位V1と異なる電位V2が与えられる半導体集積回路において、拡散層A1及びB1は、電位V1の一の配線の直下に並行して配置されることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：